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Data di pubblicazione Titolo Autore(i) Tipo File
1-gen-2015 A GaAs MMIC active inductor for notch filtering up to K-band Polli, G; Palomba, M; Colangeli, S; Cleriti, R; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2015 Investigation of microwave devices using diamond as a semiconductor material Limiti, E; Colangeli, S; Ciccognani, W; Verona, C; Giovine, E; Ghione, G; Moran, D Intervento a convegno
1-gen-2015 Realization and measurements of an RF energy harvesting circuit operating on several DVB-T channels Scucchia, L; Palomba, M; Ciccognani, W; Colangeli, S; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2015 T/R modules front-end integration in GaN technology Limiti, E; Ciccognani, W; Cipriani, E; Colangeli, S; Colantonio, P; Palomba, M; Florian, C; Pirola, M; Ayllon, N Intervento a convegno
1-gen-2015 Cold-source cryogenic characterization and modeling of a mHEMT process Cleriti, R; Colangeli, S; Ciccognani, W; Palomba, M; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2015 Closed-form noise parameters of a transmission line under thermal gradients Colangeli, S; Ciccognani, W; Cleriti, R; Palomba, M; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2015 Realization and measurement of an RF energy harvesting circuit working on LTE frequency bands Scucchia, L; Palomba, M; Cleriti, R; Colangeli, S; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2015 Distributed active balun with improved linearity performance Palomba, M; Palombini, D; Colangeli, S; Cleriti, R; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2015 Black-box noise modeling of GaAs HEMTs under illumination Colangeli, S; Ciccognani, W; Limiti, E; Caddemi, A; Crupi, G Articolo su rivista
1-gen-2015 Numerical determination of coaxial cable parameters in cryogenic environments for high-frequency active device noise modeling Cleriti, R; Colangeli, S; Ciccognani, W; Palomba, M; Limiti, E Articolo su rivista
1-gen-2015 Robust GaN Successive-Detection Logarithmic Video-Amplifier for EW applications Di Alessandro, L; Palomba, M; Colangeli, S; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2015 Gate-source distance scaling effects in H-terminated diamond MESFETs Verona, C; Ciccognani, W; Colangeli, S; DI PIETRANTONIO, F; Giovine, E; Limiti, E; Marinelli, M; VERONA RINATI, G Articolo su rivista
1-mar-2015 Evaluation of coaxial cable performance under thermal gradients Colangeli, S; Cleriti, R; Ciccognani, W; Limiti, E Articolo su rivista
1-giu-2015 Single-Chip Front-End for T/R Modules in GaN Technology Vittori, M; Colangeli, S; Palomba, M; Cipriani, E; Ciccognani, W; Colantonio, P; Limiti, E; Florian, C; Pirola, M; Feudale, M; Ayllon, N Intervento a convegno
1-lug-2015 An active low-noise termination in GaN technology Colangeli, S; Ciccognani, W; Palomba, M; Longhi, Pe; Limiti, E Intervento a convegno
1-ott-2015 Gate–Source distance scaling effects in H-terminated diamond MESFETs: optimization of layout and output current density Verona, C; Ciccognani, W; Colangeli, S; Di Pietrantonio, F; Giovine, E; Limiti, E; Marinelli, M; Verona-Rinati, G Intervento a convegno
1-gen-2016 Characterization and modelling of 40 nm mHEMT process up to 110 GHz Cleriti, R; Ciccognani, W; Colangeli, S; Limiti, E; Frijlink, P; Renvoise, M Intervento a convegno
1-gen-2016 14.8-MeV Neutron Irradiation on H-Terminated Diamond-Based MESFETs Verona, C; Ciccognani, W; Colangeli, S; Limiti, E; Marinelli, M; Santoni, E; VERONA RINATI, G; Angelone, M; Pillon, M; Pompili, F; Benetti, M; Cannata', D; DI PIETRANTONIO, F Articolo su rivista
1-gen-2016 H-Terminated Diamond MISFETs with V2O5 as Insulator Colangeli, S; Verona, C; Ciccognani, W; Marinelli, M; Rinati, G; Limiti, E; Benetti, M; Cannata, D; Di Pietrantonio, F Intervento a convegno
1-gen-2016 An EM-based approach to model a gallium nitride HEMT in a custom common-gate configuration Giofre', R; Colangeli, S; Ciccognani, W; Limiti, E Intervento a convegno
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