TISBI, ELISA

TISBI, ELISA  

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Data di pubblicazione Titolo Autore(i) Tipo File
1-gen-2016 Anisotropic cation diffusion in the GaAs capping of InAs/GaAs(001) quantum dots Tisbi, E; Latini, V; Patella, F; Placidi, E; Arciprete, F Articolo su rivista
10-lug-2020 Increasing optical efficiency in the telecommunication bands of strain-engineered Ga(As, Bi) alloys Tisbi, E; Placidi, E; Magri, R; Prosposito, P; Francini, R; Zaganelli, A; Cecchi, S; Zallo, E; Calarco, R; Luna, E; Honolka, J; Vondracek, M; Colonna, S; Arciprete, F Articolo su rivista
1-gen-2019 Interplay between structural and thermoelectric properties in epitaxial Sb2+xTe3 alloys Cecchi, S; Dragoni, D; Kriegner, D; Tisbi, E; Zallo, E; Arciprete, F; Holý, V; Bernasconi, M; Calarco, R Articolo su rivista
1-gen-2022 Reflectance anisotropy spectroscopy of strain-engineered GaAsBi alloys Goletti, C; Fazi, L; Tisbi, E; Bonanni, B; Placidi, E; Arciprete, F Articolo su rivista
1-gen-2022 Sensing sub-surface strain in GaAsBi(001) surfaces by reflectance anisotropy spectroscopy Bonanni, B; Fazi, L; Tisbi, E; Placidi, E; Arciprete, F; Goletti, C Articolo su rivista
1-gen-2017 Strain-engineered arrays of InAs quantum dots on GaAs(001): Epitaxial growth and modeling Latini, V; Placidi, E; Magri, R; Tisbi, E; Patella, F; Arciprete, F Articolo su rivista
1-gen-2016 Stress-determined nucleation sites above GaAs-capped arrays of InAs quantum dots Latini, V; Placidi, E; Arciprete, F; Tisbi, E; Patella, F; Magri, R Articolo su rivista
1-gen-2017 Textured Sb2Te3 films and GeTe/Sb2Te3 superlattices grown on amorphous substrates by molecular beam epitaxy Boschker, ; Tisbi, E; E, ; Placidi, E; Momand, J; Redaelli, A; Kooi, B; Arciprete, F; Calarco, R Articolo su rivista
1-gen-2017 Tuning the growth for a selective nucleation of chains of Quantum Dots behaving as single photon emitters Latini, V; Tisbi, E; Placidi, E; Patella, F; Biccari, F; Gurioli, M; Vinattieri, A; Arciprete, F Articolo su rivista