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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.

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Data di pubblicazione Titolo Autore(i) Tipo File
1-giu-2019 A Times-4 Frequency Multiplier from K- to W-band Pace, L; Salvucci, A; Fenu, S; Ciccognani, W; Longhi, Pe; Colangeli, S; Limiti, E; Frtjlink, P; Renvoise, M Intervento a convegno
1-gen-2022 A Transmitter Protection Scheme through Reciprocal Elements Colangeli, S; Ciccognani, W; Longhi, Pe; Serino, A; Limiti, E Intervento a convegno
1-ott-2011 Active and Passive Device Characterization and Modeling for low-cost and High Volume GaN-on-Si Technology Limiti, E; Bentini, A; Ciccognani, W; Colangeli, S; Pantellini, A; Lanzieri, C; Nanni, A Intervento a convegno
1-gen-2012 Advanced characterization approaches oriented to microwave cryogenic and noise source-pull measurements Cleriti, R; Colangeli, S; Ciccognani, W; Bentini, A; Palomba, M; Scucchia, L; Limiti, E Intervento a convegno
1-giu-2012 Advanced characterization approaches oriented to microwave cryogenic and noise source-pull measurements Cleriti, R; Colangeli, S; Ciccognani, W; Bentini, A; Palomba, M; Scucchia, L; Limiti, E Intervento a convegno
1-mag-2011 Advanced PHEMT GaAs E/D technology, modeling and characterisation Pasciuto, B; Bentini, A; Ciccognani, W; Limiti, E; Romanini, P; Lanzieri, C Intervento a convegno
1-mag-2004 AM/AM and AM/PM power amplifier characterisation technique Ciccognani, W; Colantonio, P; Giannini, F; Limiti, E; Rossi, M Intervento a convegno
1-lug-2015 An active low-noise termination in GaN technology Colangeli, S; Ciccognani, W; Palomba, M; Longhi, Pe; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2016 An EM-based approach to model a gallium nitride HEMT in a custom common-gate configuration Giofre', R; Colangeli, S; Ciccognani, W; Limiti, E Intervento a convegno
1-nov-2018 An S-Band GaN MMIC High Power Amplifier with 50W Output Power and 55% Power Added Efficiency Giofre, R; Costanzo, F; Colangeli, S; Ciccognani, W; Sotgia, M; Cirillo, M; Limiti, E Intervento a convegno
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Tipologia
  • Pubblicazioni 130
  • Pubblicazioni::02 - Intervento a ... 130
Autore
  • LIMITI, ERNESTO 127
  • COLANGELI, SERGIO 77
  • LONGHI, PATRICK ETTORE 41
  • SERINO, ANTONIO 20
  • GIANNINI, FRANCO 18
  • GIOFRE', ROCCO 15
  • SCUCCHIA, LUCIO 15
  • DI PAOLO, FRANCO 13
  • COSTANZO, FERDINANDO 11
  • POLLI, GIORGIO 11
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 14
  • 2010 - 2019 78
  • 2003 - 2009 38
Editore
  • IEEE 44
  • Institute of Electrical and Elect... 10
  • Aracne 3
  • EUMA 3
  • CZECHSLOVAKIA SECTION IEEE 1
  • DIEGM 1
  • EuMA 1
  • GE Gruppo Elettronica 1
  • Gruppo Elettronica 1
  • IOP 1
Rivista
  • JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SE... 1
Serie
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 2
  • European Microwave Integrated Cir... 1
  • IEEE ANNUAL WIRELESS AND MICROWAV... 1
  • LECTURE NOTES IN ELECTRICAL ENGIN... 1
Settore disciplinare
  • Settore ING-INF/01 128
  • Settore ING-INF/03 2
Keyword
  • Gallium nitride 5
  • Gallium Nitride 4
  • GaN 4
  • LNA 4
  • MMIC 4
  • GaN technology 3
  • Ka-band 3
  • Device technology 2
  • Diamond 2
  • Electrical characteristics 2
Lingua
  • eng 127
  • ita 2
  • ger 1
Accesso al fulltext
  • no fulltext 113
  • restricted 17
Settori ISICRUI
  • Ingegneria Elettrica ed Elettronica 73
  • 09 - Ingegneria industriale e del... 53
  • Ingegneria Elettrica ed Elettroni... 3
  • Tecnologia dell'Informazione e Si... 2
Appartenenza
  • Dipartimento di Fisica 1
  • Dipartimento di Ingegneria Elettr... 130
  • Dipartimento di Ingegneria indust... 10