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Single-Chip Front-End for T/R Modules in GaN Technology
2015-06-01 Vittori, M; Colangeli, S; Palomba, M; Cipriani, E; Ciccognani, W; Colantonio, P; Limiti, E; Florian, C; Pirola, M; Feudale, M; Ayllon, N
Small-signal and noise performance of 0.5 μm diamond MESFETs
2014-06-20 Colangeli, S; Cleriti, R; Ciccognani, W; Limiti, E
Split gate line distributed power amplifier using tapered drain line approach and active broadband input power divider
2009-09-01 Ciccognani, W; Giolo, G; Limiti, E; Longhi, P
Stretchable conductors made of single wall carbon nanotubes self-grafted on polymer films
2020-01-01 Fazi, L; Prioriello, A; Scacco, V; Ciccognani, W; Serra, E; Mirabile Gattia, D; Morales, P; Limiti, E; Senesi, R
Study of Hydrogen-Terminated Diamond MISFETs with Vanadium Pentoxide as Insulator
2016-06-01 Colangeli, S; Verona, C; Ciccognani, W; Cleriti, R; Limiti, E
T/R modules front-end integration in GaN technology
2015-01-01 Limiti, E; Ciccognani, W; Cipriani, E; Colangeli, S; Colantonio, P; Palomba, M; Florian, C; Pirola, M; Ayllon, N
The role of path loss on the selection of the operating bands of UWB systems
2004-09-01 Cassioli, D; Durantini, A; Ciccognani, W
Towards the Realization of a Single-Chip Front-End in GaN Technology
2014-01-01 Limiti, E; Ciccognani, W; Cipriani, E; Colangeli, S; Colantonio, P; Feudale, M; Florian, C; Palomba, M; Pirola, M; Ayllon, N
UWB propagation measurements by PN-sequence channel sounding
2004-06-01 Durantini, A; Ciccognani, W; Cassioli, D
Vanadium pentoxide as an insulator for realizing H-diamond MISFETs
2016-09-01 Verona, C; Colangeli, S; Ciccognani, W; Verona-Rinati, G; Marinelli, M; Limiti, E; Benetti, M; Cannatà, D; Di Pietrantonio, F
| Data di pubblicazione | Titolo | Autore(i) | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|
| 1-giu-2015 | Single-Chip Front-End for T/R Modules in GaN Technology | Vittori, M; Colangeli, S; Palomba, M; Cipriani, E; Ciccognani, W; Colantonio, P; Limiti, E; Florian, C; Pirola, M; Feudale, M; Ayllon, N | Intervento a convegno | |
| 20-giu-2014 | Small-signal and noise performance of 0.5 μm diamond MESFETs | Colangeli, S; Cleriti, R; Ciccognani, W; Limiti, E | Intervento a convegno | |
| 1-set-2009 | Split gate line distributed power amplifier using tapered drain line approach and active broadband input power divider | Ciccognani, W; Giolo, G; Limiti, E; Longhi, P | Intervento a convegno | |
| 1-gen-2020 | Stretchable conductors made of single wall carbon nanotubes self-grafted on polymer films | Fazi, L; Prioriello, A; Scacco, V; Ciccognani, W; Serra, E; Mirabile Gattia, D; Morales, P; Limiti, E; Senesi, R | Intervento a convegno | |
| 1-giu-2016 | Study of Hydrogen-Terminated Diamond MISFETs with Vanadium Pentoxide as Insulator | Colangeli, S; Verona, C; Ciccognani, W; Cleriti, R; Limiti, E | Intervento a convegno | |
| 1-gen-2015 | T/R modules front-end integration in GaN technology | Limiti, E; Ciccognani, W; Cipriani, E; Colangeli, S; Colantonio, P; Palomba, M; Florian, C; Pirola, M; Ayllon, N | Intervento a convegno | |
| 1-set-2004 | The role of path loss on the selection of the operating bands of UWB systems | Cassioli, D; Durantini, A; Ciccognani, W | Intervento a convegno | |
| 1-gen-2014 | Towards the Realization of a Single-Chip Front-End in GaN Technology | Limiti, E; Ciccognani, W; Cipriani, E; Colangeli, S; Colantonio, P; Feudale, M; Florian, C; Palomba, M; Pirola, M; Ayllon, N | Intervento a convegno | |
| 1-giu-2004 | UWB propagation measurements by PN-sequence channel sounding | Durantini, A; Ciccognani, W; Cassioli, D | Intervento a convegno | |
| 1-set-2016 | Vanadium pentoxide as an insulator for realizing H-diamond MISFETs | Verona, C; Colangeli, S; Ciccognani, W; Verona-Rinati, G; Marinelli, M; Limiti, E; Benetti, M; Cannatà, D; Di Pietrantonio, F | Intervento a convegno |
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