Inx Ga(1-x)As quantum dots grown on GaAs studied by EXAFS in total reflection mode (ReflEXAFS)

D'Acapito, F; Colonna, S; Arciprete, F; Balzarotti, A; Davoli, I; Patella, F; Mobilio, S

doi:10.1016/S0168-583X(02)01679-8

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InxGa(1-x)As quantum dots grown on GaAs were studied by extended X-ray absorption fine structure in total reflection geometry (ReflEXAFS). By comparing theoretical models to experimental data on first shell bond lengths, it was possible to recognize the strained or relaxed state of the dots and their composition. The results showed that the wetting layer (WL) was a strained diluted alloy.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/2108/41993

Autori interni:	ARCIPRETE, FABRIZIO BALZAROTTI, ADALBERTO DAVOLI, IVAN PATELLA, FULVIA
Autori:	D'Acapito, F ; Colonna, S ; Arciprete, F ; Balzarotti, A ; Davoli, I ; Patella, F ; Mobilio, S
Titolo:	Inx Ga(1-x)As quantum dots grown on GaAs studied by EXAFS in total reflection mode (ReflEXAFS)
Nome del convegno:	Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS)
Luogo del convegno:	STRASBOURG, FRANCE
Anno del convegno:	JUN 18-21, 2002
Enti collegati al convegno:	European Mat Res Soc
Rilevanza:	Rilevanza internazionale
Sezione:	contributo
Data di pubblicazione:	2003
Digital Object Identifier (DOI):	10.1016/S0168-583X(02)01679-8
Settore Scientifico Disciplinare:	Settore FIS/03 - Fisica della Materia
Lingua:	English
Tipologia:	Intervento a convegno
Citazione:	D'Acapito, F., Colonna, S., Arciprete, F., Balzarotti, A., Davoli, I., Patella, F., et al. (2003). Inx Ga(1-x)As quantum dots grown on GaAs studied by EXAFS in total reflection mode (ReflEXAFS). In Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms (pp.85-89).
Appare nelle tipologie:	02 - Intervento a convegno

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