InAs/GaAs(001) epitaxy: Kinetic effects in the two-dimensional to three-dimensional transition

Placidi, E; ARCIPRETE, F; FANFONI, M; PATELLA, F; Orsini, E; BALZAROTTI, A

doi:10.1088/0953-8984/19/22/225006

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Step instability and surface mass transport strongly influence the kinetics of the two- to three-dimensional (2D-3D) transition in InAs/GaAs self-assembly epitaxy. In this paper we report evidence of the step erosion of quantum dots (QDs) nucleated on step edges for samples having different surface morphologies and the explosive nucleation of 3D QDs triggered by it. Related issues such as the temperature dependence of the critical thickness, the volume dependence of the surface mass transport, and the scaling behaviour are illustrated by means of RHEED and AFM measurements and data analysis for small increments of InAs coverage throughout the 2D-3D transition.

Autori:	Placidi, E. ARCIPRETE, FABRIZIO FANFONI, MASSIMO PATELLA, FULVIA Orsini, E. BALZAROTTI, ADALBERTO mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Autori:	Placidi, E ; Arciprete, F ; Fanfoni, M ; Patella, F ; Orsini, E ; Balzarotti, A
Titolo:	InAs/GaAs(001) epitaxy: Kinetic effects in the two-dimensional to three-dimensional transition
Nome del convegno:	3rd Nanocose Conference
Luogo del convegno:	Frascati, ITALY
Anno del convegno:	OCT 03-05, 2005
Enti collegati al convegno:	Univ Roma Tor Vergata
Rilevanza:	Rilevanza nazionale
Sezione:	su invito
Data di pubblicazione:	2007
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/19/22/225006
Settore Scientifico Disciplinare:	Settore FIS/03 - Fisica della Materia
Lingua:	English
Tipologia:	Intervento a convegno
Citazione:	Placidi, E., Arciprete, F., Fanfoni, M., Patella, F., Orsini, E., & Balzarotti, A. (2007). InAs/GaAs(001) epitaxy: Kinetic effects in the two-dimensional to three-dimensional transition. In Journal of Physics Condensed Matter. BRISTOL : IOP PUBLISHING LTD.
Appare nelle tipologie:	02 - Intervento a convegno

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http://hdl.handle.net/2108/34583

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