Cardarilli, G.c., Khanal, G.m., Di Nunzio, L., Re, M., Fazzolari, R., Kumar, R. (2020). Memristive and memory impedance behavior in a photo-annealed ZnO–rGO thin-film device. ELECTRONICS, 9(2) [10.3390/electronics9020287].

Memristive and memory impedance behavior in a photo-annealed ZnO–rGO thin-film device

Cardarilli G. C.;Khanal G. M.;Di Nunzio L.;Re M.;Fazzolari R.;
2020-01-01

2020
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Esperti anonimi
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Cardarilli, G.c., Khanal, G.m., Di Nunzio, L., Re, M., Fazzolari, R., Kumar, R. (2020). Memristive and memory impedance behavior in a photo-annealed ZnO–rGO thin-film device. ELECTRONICS, 9(2) [10.3390/electronics9020287].
Cardarilli, Gc; Khanal, Gm; Di Nunzio, L; Re, M; Fazzolari, R; Kumar, R
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