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In this contribution, performances of a Class F-1 power amplifier are studied, highlighting their dependence on transistor bias point and input power level. First, a concise mathematical analysis is given, describing the drain current behavior. Theoretical assessments are validated through nonlinear measurements performed on a X-band MMIC PA in GaAs technology, which can achieve a peak efficiency of 54 % in correspondence of a saturated output power of 27 dBm.
Cipriani, E., Colantonio, P., Giannini, F., Giofre', R. (2011). Effects of gate bias voltage and compression level on a X-band MMIC class F-1 PA. In Proceedings of the European Microwave Conference, EUMC 2011 (pp.1107-1110).
Effects of gate bias voltage and compression level on a X-band MMIC class F-1 PA
In this contribution, performances of a Class F-1 power amplifier are studied, highlighting their dependence on transistor bias point and input power level. First, a concise mathematical analysis is given, describing the drain current behavior. Theoretical assessments are validated through nonlinear measurements performed on a X-band MMIC PA in GaAs technology, which can achieve a peak efficiency of 54 % in correspondence of a saturated output power of 27 dBm.
Proceedings of the European Microwave Conference, EUMC 2011
Manchester (UK)
2011
Rilevanza internazionale
contributo
2011
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Intervento a convegno
Cipriani, E., Colantonio, P., Giannini, F., Giofre', R. (2011). Effects of gate bias voltage and compression level on a X-band MMIC class F-1 PA. In Proceedings of the European Microwave Conference, EUMC 2011 (pp.1107-1110).
Cipriani, E; Colantonio, P; Giannini, F; Giofre', R
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/64610
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
