Sacconi, F.e., Jancu, J., Povolotskyi, M., DI CARLO, A. (2007). Full-Band Tunneling in High-κ Oxide MOS Structures. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 54.

Full-Band Tunneling in High-κ Oxide MOS Structures

SACCONI, FABIO ENRICO;DI CARLO, ALDO
2007-01-01

2007
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Sì, ma tipo non specificato
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Con Impact Factor ISI
Sacconi, F.e., Jancu, J., Povolotskyi, M., DI CARLO, A. (2007). Full-Band Tunneling in High-κ Oxide MOS Structures. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 54.
Sacconi, Fe; Jancu, J; Povolotskyi, M; DI CARLO, A
Articolo su rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/50144
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact