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This paper presents a comprehensive evaluation of GaN HEMT technology development on SiC substrates, relying on an electro-thermal model validated against DC, pulsed DC and S-parameter measurements. The measured devices are backside mounted, but the layout is also conceived for flip-chip mounting. Based on accurate estimation of the device thermal resistance, the model enables to explore and assess the device performances in both backside and flip-chip configurations; results are shown both for conventional ceramic AIN flip-chip mountings, and for advanced (diamond) heatsinks.
Angelini, A., Camarchia, V., Cappelluti, F., Donati Guerrieri, S., Pirola, M., Bonani, F., et al. (2006). Evaluation of GaN HEMT technology development through nonlinear characterization. In Proceedings of the International symposium on power semiconductor devices and ICs (pp.1-4). IEEE.
Evaluation of GaN HEMT technology development through nonlinear characterization
Angelini, A.;Camarchia, V.;Cappelluti, F.;Donati Guerrieri, S.;Pirola, M.;Bonani, F.;SERINO, ANTONIO;Ghione G.
2006-06-01
Abstract
This paper presents a comprehensive evaluation of GaN HEMT technology development on SiC substrates, relying on an electro-thermal model validated against DC, pulsed DC and S-parameter measurements. The measured devices are backside mounted, but the layout is also conceived for flip-chip mounting. Based on accurate estimation of the device thermal resistance, the model enables to explore and assess the device performances in both backside and flip-chip configurations; results are shown both for conventional ceramic AIN flip-chip mountings, and for advanced (diamond) heatsinks.
International symposium on power semiconductor devices and ICs (ISPSD'06)
Napoli (Italia)
2006
18.
Rilevanza internazionale
contributo
Settore ING-INF/01 - Elettronica
English
Electro-thermal effects; GaN; Power RF FETs; Semiconductor device thermal factors
Intervento a convegno
Angelini, A., Camarchia, V., Cappelluti, F., Donati Guerrieri, S., Pirola, M., Bonani, F., et al. (2006). Evaluation of GaN HEMT technology development through nonlinear characterization. In Proceedings of the International symposium on power semiconductor devices and ICs (pp.1-4). IEEE.
Angelini, A; Camarchia, V; Cappelluti, F; Donati Guerrieri, S; Pirola, M; Bonani, F; Serino, A; Ghione, G
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
