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EnglishOn the bases of the RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model is formulated and characterized for Metal-Semiconductor Field Effect Transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-wafer measurements, a bias dependent transistor behavior representation has been fully determinated. Such a equivalent circuit model is a first important step in order to realize an RF IC based on diamond.
http://hdl.handle.net/2108/49747| Autori interni: | LIMITI, ERNESTO CICCOGNANI, WALTER |
| Autori: | Pasciuto, B; Ciccognani, W; Limiti, E; Calvani, P; Rossi, MC; Conte, G |
| Titolo: | Modeling of metal-semiconductor field-effect-transistor on H- terminated polycrystalline diamond |
| Nome del convegno: | 10th International Conference on Ultimate Integration on Silicon |
| Luogo del convegno: | Aachen, GERMANY |
| Anno del convegno: | MAR 18-20, 2009 |
| Enti collegati al convegno: | IEEE, Elect Devices Soc, IEEE, Julich, JARA FIT, Aachen Univ, Nanosil, Oxford Instruments, Aixtron, Centrotherm, oerlikon syst |
| Rilevanza: | Rilevanza internazionale |
| Sezione: | contributo |
| ???metadata.dc.date.created???: | 2009-03 |
| Data di pubblicazione: | mar-2009 |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/ULIS.2009.4897586 |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore ING-INF/01 - Elettronica |
| Lingua: | English |
| Altre informazioni significative: | 4 |
| Tipologia: | Intervento a convegno |
| Citazione: | Pasciuto, B., Ciccognani, W., Limiti, E., Calvani, P., Rossi, M.C., & Conte, G. (2009). Modeling of metal-semiconductor field-effect-transistor on H- terminated polycrystalline diamond. In Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon, ULIS 2009 (pp.261-264). NEW YORK : IEEE. |
| Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
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