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EnglishDesign criteria of Class E amplifiers are reviewed and extended for high frequency application. In particular, starting from classical Class-E formulas an additional tuning on fundamental output load becomes mandatory to take into account practical limitations arising in high frequency applications. Two examples of Class E amplifier designs for X-Band application (GaAs based) and C-Band (GaN based) are presented.
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http://hdl.handle.net/2108/49529| Autori interni: | COLANTONIO, PAOLO GIANNINI, FRANCO GIOFRE', ROCCO |
| Autori: | Colantonio, P; Giannini, F; Giofrè, R; Yarleque Medina, MA; Schreurs, D; Nauwelaers, B |
| Titolo: | High frequency class E design methodologies |
| Nome del convegno: | 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS 2005) |
| Luogo del convegno: | Paris, FRANCE |
| Anno del convegno: | OCT 03-04, 2005 |
| Rilevanza: | Rilevanza internazionale |
| Sezione: | contributo |
| Data di pubblicazione: | ott-2005 |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore ING-INF/01 - Elettronica |
| Lingua: | English |
| Tipologia: | Intervento a convegno |
| Citazione: | Colantonio, P., Giannini, F., Giofrè, R., Yarleque Medina, M.A., Schreurs, D., & Nauwelaers, B. (2005). High frequency class E design methodologies. In GAAS 2005: 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium, Conference Proceedings (pp.329-332). LONDON : HORIZON HOUSE PUBLICATIONS LTD. |
| Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
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