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EnglishDesign criteria of Class E amplifiers are reviewed and extended for high frequency application. In particular, starting from classical Class-E formulas an additional tuning on fundamental output load becomes mandatory to take into account practical limitations arising in high frequency applications. Two examples of Class E amplifier designs for X-Band application (GaAs based) and C-Band (GaN based) are presented.
Colantonio, P., Giannini, F., Giofrè, R., Yarleque Medina, M.A., Schreurs, D., & Nauwelaers, B. (2005). High frequency class E design methodologies. In GAAS 2005: 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium, Conference Proceedings (pp.329-332). LONDON : HORIZON HOUSE PUBLICATIONS LTD.
| Autori: | ||
| Autori: | Colantonio, P; Giannini, F; Giofrè, R; Yarleque Medina, MA; Schreurs, D; Nauwelaers, B | |
| Titolo: | High frequency class E design methodologies | |
| Nome del convegno: | 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS 2005) | |
| Luogo del convegno: | Paris, FRANCE | |
| Anno del convegno: | OCT 03-04, 2005 | |
| Rilevanza: | Rilevanza internazionale | |
| Sezione: | contributo | |
| Data di pubblicazione: | ott-2005 | |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore ING-INF/01 - Elettronica | |
| Lingua: | English | |
| Tipologia: | Intervento a convegno | |
| Citazione: | Colantonio, P., Giannini, F., Giofrè, R., Yarleque Medina, M.A., Schreurs, D., & Nauwelaers, B. (2005). High frequency class E design methodologies. In GAAS 2005: 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium, Conference Proceedings (pp.329-332). LONDON : HORIZON HOUSE PUBLICATIONS LTD. | |
| Appare nelle tipologie: | 02 - Intervento a convegno |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/2108/49529
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