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In this contribution a C-Band 2nd harmonic tuned hybrid power amplifier utilizing a PHEMT GaN device is presented, together with technological aspects, non linear device model and adopted design criteria. The amplifier has been realised in hybrid form, exhibiting a bandwidth larger than 20% around 5.5GHz, with a minimum output power of 33 dBm, and a drain efficiency of 60% at the centre frequency.
Colantonio, P., Giannini, F., Giofre', R., Limiti, E., Serino, A., Peroni, M., et al. (2005). A C-band high efficiency second harmonic tuned hybrid power amplifier in GaN technology. In GAAS 2005: 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium, Conference Proceedings (pp.673-676). LONDON : HORIZON HOUSE PUBLICATIONS LTD.
A C-band high efficiency second harmonic tuned hybrid power amplifier in GaN technology
In this contribution a C-Band 2nd harmonic tuned hybrid power amplifier utilizing a PHEMT GaN device is presented, together with technological aspects, non linear device model and adopted design criteria. The amplifier has been realised in hybrid form, exhibiting a bandwidth larger than 20% around 5.5GHz, with a minimum output power of 33 dBm, and a drain efficiency of 60% at the centre frequency.
GAAS 2005 - 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium
Paris
3 October 2005 through 4 October 2005
Rilevanza internazionale
contributo
2005
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Bandwidth; Energy efficiency; Gallium nitride; Harmonic generation; Mathematical models; Tuning; Drain efficiency; Harmonic tuned hybrid power amplifiers; Linear device models; Minimum output power; Power amplifiers
Intervento a convegno
Colantonio, P., Giannini, F., Giofre', R., Limiti, E., Serino, A., Peroni, M., et al. (2005). A C-band high efficiency second harmonic tuned hybrid power amplifier in GaN technology. In GAAS 2005: 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium, Conference Proceedings (pp.673-676). LONDON : HORIZON HOUSE PUBLICATIONS LTD.
Colantonio, P; Giannini, F; Giofre', R; Limiti, E; Serino, A; Peroni, M; Romanini, P; Proietti, C
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/49522
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
