Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
IRIS
Uncoated single-strand DNA mixed with BAC (benzyldimethylalkylammonium chloride) were deposited on gold substrates and imaged in air with the use of a high-resolution scanning tunneling microscope (STM). Constant-current and gap-modulated STM images showed both double- and single-stranded DNA. Along the single DNA backbone we have, tentatively, assigned small structures to phosphate and sugar group components; bumps aside single filaments, that correspond, presumbaly, to the bases DNA, have sometimes been observed.
Cricenti, A., Selci, S., Chiarotti, G., Amaldi, F. (1991). Imaging of single‐stranded DNA with the scanning tunneling microscope. In Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures (pp.1285-1287). WOODBURY : AMER INST PHYSICS [10.1116/1.585222].
Imaging of single‐stranded DNA with the scanning tunneling microscope
Uncoated single-strand DNA mixed with BAC (benzyldimethylalkylammonium chloride) were deposited on gold substrates and imaged in air with the use of a high-resolution scanning tunneling microscope (STM). Constant-current and gap-modulated STM images showed both double- and single-stranded DNA. Along the single DNA backbone we have, tentatively, assigned small structures to phosphate and sugar group components; bumps aside single filaments, that correspond, presumbaly, to the bases DNA, have sometimes been observed.
5TH INTERNATIONAL CONF ON SCANNING TUNNELING MICROSCOPY/SPECTROSCOPY ( STM 90 ) / 1ST INTERNATIONAL CONF ON NANOMETER SCALE SCIENCE AND TECHNOLOGY ( NANO 1 )
BALTIMORE, MD
JUL 23-27, 1990
AMER VACUUM SOC, USN, OFF NAVAL RES, USAF, OFF SCI RES, NATL SCI FDN, JOHN HOPKINS UNIV, APPL PHYS LAB
Cricenti, A., Selci, S., Chiarotti, G., Amaldi, F. (1991). Imaging of single‐stranded DNA with the scanning tunneling microscope. In Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures (pp.1285-1287). WOODBURY : AMER INST PHYSICS [10.1116/1.585222].
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/48649
Citazioni
ND
ND
ND
social impact
Conferma cancellazione
Sei sicuro che questo prodotto debba essere cancellato?
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.