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EnglishHigh-resolution electron energy-loss measurements performed in situ on GaAS(001)-c(4 x 4) surfaces grown by molecular beam epitaxy reveal a number of intrinsic features so far unobserved. The one-to-one correspondence found between experimental and calculated electronic transitions provides for the first time a satisfactory understanding of the electronic properties of this prototype surface. The optical surface anisotropy originates entirely from very few atomic layers beneath the surface. This gives to the energy-loss anisotropy data two orders of magnitude higher surface sensitivity than that of reflectance difference spectroscopies. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
| Tipologia: | Articolo su rivista |
| Citazione: | Balzarotti, A., Fanfoni, M., Patella, F., Arciprete, F., Placidi, E., Onida, G., et al. (2003). The GaAS(001)-c(4x4) surface: a new perspective from energy loss spectra. SURFACE SCIENCE LETTERS, 524, 71. |
| IF: | Con Impact Factor ISI |
| Lingua: | English |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore FIS/03 - Fisica della Materia |
| Revisione (peer review): | Sì, ma tipo non specificato |
| Tipo: | Articolo |
| Rilevanza: | Rilevanza internazionale |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/S0039-6028(02)02540-2 |
| Stato di pubblicazione: | Pubblicato |
| Data di pubblicazione: | 2003 |
| Titolo: | The GaAS(001)-c(4x4) surface: a new perspective from energy loss spectra |
| Autori: | |
| Autori: | Balzarotti, A; Fanfoni, M; Patella, F; Arciprete, F; Placidi, E; Onida, G; Del Sole, R |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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