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This paper describes a dual-band (C/X) high power amplifier realised with Leonardo's 0.25 mu m GaN on SiC technology. Design considerations are provided to implement dual-band operation. The measured data show PAE values in excess of 50% in both bands with an output power greater than 10 W. The results compare very well with the open literature, especially in terms of PAE.
Bolli, F., Longhi, P.e., Colangeli, S., Pantellini, A., Polli, G., Castorio, M., et al. (2025). High-efficiency C/X dual-band HPA in 250-nm gate length GaN HEMT technology with 10W Pout. In 2025 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC): proceedings (pp.1-4). New York : IEEE [10.1109/INMMIC64198.2025.10975388].
High-efficiency C/X dual-band HPA in 250-nm gate length GaN HEMT technology with 10W Pout
This paper describes a dual-band (C/X) high power amplifier realised with Leonardo's 0.25 mu m GaN on SiC technology. Design considerations are provided to implement dual-band operation. The measured data show PAE values in excess of 50% in both bands with an output power greater than 10 W. The results compare very well with the open literature, especially in terms of PAE.
Bolli, F., Longhi, P.e., Colangeli, S., Pantellini, A., Polli, G., Castorio, M., et al. (2025). High-efficiency C/X dual-band HPA in 250-nm gate length GaN HEMT technology with 10W Pout. In 2025 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC): proceedings (pp.1-4). New York : IEEE [10.1109/INMMIC64198.2025.10975388].
Bolli, F; Longhi, Pe; Colangeli, S; Pantellini, A; Polli, G; Castorio, M; Ciccognani, W; Serino, A; Limiti, E
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/433464
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
