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EnglishWe have investigated, by means of atomic force microscopy, the complete evolution of InAs/GaAs(001) quantum dots as a function of deposited InAs. Direct evidence is found for step erosion by quantum dots nucleated onto the step edge and an estimate of the eroded volume is provided. By studying the quantum dots volume as a function of InAs coverage, we show that the wetting layer contribution is confined within a narrow range of coverage around the two- and three-dimensional transition. (c) 2005 American Institute of Physics.
| Tipologia: | Articolo su rivista |
| Citazione: | Placidi, E., Arciprete, F., Sessi, V., Fanfoni, M., Patella, F., & Balzarotti, A. (2005). Step erosion during nucleation of InAsGaAs (001) quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS, 86(24), 1-3. |
| IF: | Con Impact Factor ISI |
| Lingua: | English |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore FIS/03 - Fisica della Materia |
| Revisione (peer review): | Sì, ma tipo non specificato |
| Tipo: | Articolo |
| Rilevanza: | Rilevanza internazionale |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1063/1.1946181 |
| Stato di pubblicazione: | Pubblicato |
| Data di pubblicazione: | 2005 |
| Titolo: | Step erosion during nucleation of InAsGaAs (001) quantum dots |
| Autori: | |
| Autori: | Placidi, E ; Arciprete, F ; Sessi, V ; Fanfoni, M ; Patella, F ; Balzarotti, A |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/2108/37179
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