Longo, E., Locatelli, L., Tsipas, P., Lintzeris, A., Dimoulas, A., Fanciulli, M., et al. (2023). Exploiting the close-to-dirac point shift of the Fermi level in the Sb2Te3/Bi2Te3 topological insulator heterostructure for spin-charge conversion. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 15(43), 50237-50245 [10.1021/acsami.3c08830].
Exploiting the close-to-dirac point shift of the Fermi level in the Sb2Te3/Bi2Te3 topological insulator heterostructure for spin-charge conversion
Longo M.;
2023-01-01
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
longo-et-al-2023-exploiting-the-close-to-dirac-point-shift-of-the-fermi-level-in-the-sb2te3-bi2te3-topological-4.pdf
accesso aperto
Tipologia:
Versione Editoriale (PDF)
Licenza:
Creative commons
Dimensione
5.93 MB
Formato
Adobe PDF
|
5.93 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


