Longo, E., Locatelli, L., Tsipas, P., Lintzeris, A., Dimoulas, A., Fanciulli, M., et al. (2023). Exploiting the close-to-dirac point shift of the Fermi level in the Sb2Te3/Bi2Te3 topological insulator heterostructure for spin-charge conversion. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 15(43), 50237-50245 [10.1021/acsami.3c08830].

Exploiting the close-to-dirac point shift of the Fermi level in the Sb2Te3/Bi2Te3 topological insulator heterostructure for spin-charge conversion

Longo M.;
2023-01-01

2023
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Esperti anonimi
Settore FIS/03
English
Longo, E., Locatelli, L., Tsipas, P., Lintzeris, A., Dimoulas, A., Fanciulli, M., et al. (2023). Exploiting the close-to-dirac point shift of the Fermi level in the Sb2Te3/Bi2Te3 topological insulator heterostructure for spin-charge conversion. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 15(43), 50237-50245 [10.1021/acsami.3c08830].
Longo, E; Locatelli, L; Tsipas, P; Lintzeris, A; Dimoulas, A; Fanciulli, M; Longo, M; Mantovan, R
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