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The growth process of thin films and multilayers of quaterthiophene and sexithiophene onto molecular single crystals has been monitored in situ and in real time during deposition by organic molecular beam epitaxy, measuring the anisotropy of the optical reflectivity. The evolution of the spectra with thickness provides the signature of an epitaxial growth of the films. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
Bussetti, G., Goletti, C., Chiaradia, P., Sassella, A., Campione, M., Tavazzi, S., et al. (2007). Real time detection of the epitaxial growth of oligothiophene layers by reflectance anisotropy spectroscopy. In Surface Science (pp.4488-4491). AMSTERDAM : Elsevier [10.1016/j.susc.2007.04.241].
Real time detection of the epitaxial growth of oligothiophene layers by reflectance anisotropy spectroscopy
The growth process of thin films and multilayers of quaterthiophene and sexithiophene onto molecular single crystals has been monitored in situ and in real time during deposition by organic molecular beam epitaxy, measuring the anisotropy of the optical reflectivity. The evolution of the spectra with thickness provides the signature of an epitaxial growth of the films. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
In situ characterization; Molecular beam epitaxy; Organic heterojunction; Organic thin films; Reflectance anisotropy spectroscopy; Thin film structure
Intervento a convegno
Bussetti, G., Goletti, C., Chiaradia, P., Sassella, A., Campione, M., Tavazzi, S., et al. (2007). Real time detection of the epitaxial growth of oligothiophene layers by reflectance anisotropy spectroscopy. In Surface Science (pp.4488-4491). AMSTERDAM : Elsevier [10.1016/j.susc.2007.04.241].
Bussetti, G; Goletti, C; Chiaradia, P; Sassella, A; Campione, M; Tavazzi, S; Borghesi, A
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/34034
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
