Raffo, A., Vadala, V., Bosi, G., Giofre, R., Vannini, G. (2022). 150-nm GaN HEMT Degradation under Realistic Load-Line Operation. In proceedings of the 17th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2022 (pp.141-144) [10.23919/EuMIC54520.2022.9923438].

150-nm GaN HEMT Degradation under Realistic Load-Line Operation

Giofre Rocco;
2022-01-01

17th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2022
Rilevanza internazionale
contributo
2022
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Intervento a convegno
Raffo, A., Vadala, V., Bosi, G., Giofre, R., Vannini, G. (2022). 150-nm GaN HEMT Degradation under Realistic Load-Line Operation. In proceedings of the 17th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2022 (pp.141-144) [10.23919/EuMIC54520.2022.9923438].
Raffo, A; Vadala, V; Bosi, G; Giofre, R; Vannini, G
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
150-nm_GaN_HEMT_Degradation_under_Realistic_Load-Line_Operation.pdf

solo utenti autorizzati

Tipologia: Versione Editoriale (PDF)
Licenza: Copyright dell'editore
Dimensione 901.49 kB
Formato Adobe PDF
901.49 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/308835
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 1
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact