Effect of the silicon surface step on the acetylene reaction with the Si(111)7x7 reconstructed surface

Scarselli, M; Castrucci, P; Piancastelli, M; De Crescenzi, M

doi:10.1016/j.susc.2004.06.065

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In this paper we report on a morphological investigation of the growth mechanism of silicon carbide (SiC) on the Si(111)7 x 7 surface. The role of the substrate morphology and temperature during acetylene exposure has been studied with the aim to obtain high quality SiC films. We compared two starting points of silicon substrate: one characterised by step bunching and one by monoatomic terraces of the same width. Our results indicate that a lower density of defects and holes is present in the former case. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/2108/30829

Autori interni:	SCARSELLI, MANUELA ANGELA CASTRUCCI, PAOLA DE CRESCENZI, MAURIZIO PIANCASTELLI, MARIA NOVELLA
Autori:	Scarselli, M; Castrucci, P; Piancastelli, MN; De Crescenzi, M
Titolo:	Effect of the silicon surface step on the acetylene reaction with the Si(111)7x7 reconstructed surface
Nome del convegno:	22nd European Conference on Surface Science (ECOSS 22)
Luogo del convegno:	Prague, CZECH REPUBLIC
Anno del convegno:	SEP 07-12, 2003
Enti collegati al convegno:	Inst Phys Acad Sci Czecg Republic, European Phys Soc, Surface Interface Div, Surf Div Int Union Vacuum Sci, Tech & Applicat
Rilevanza:	Rilevanza internazionale
Sezione:	contributo
???metadata.dc.date.created???:	2003-09-07
Data di pubblicazione:	19-giu-2004
Digital Object Identifier (DOI):	10.1016/j.susc.2004.06.065
Settore Scientifico Disciplinare:	Settore FIS/03 - Fisica della Materia
Lingua:	English
Tipologia:	Intervento a convegno
Citazione:	Scarselli, M., Castrucci, P., Piancastelli, M.N., & De Crescenzi, M. (2004). Effect of the silicon surface step on the acetylene reaction with the Si(111)7x7 reconstructed surface. In Surface Science (pp.155-159).
Appare nelle tipologie:	02 - Intervento a convegno

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