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Pirola, M., Camarchia, V., Quaglia, R., Ciccognani, W., Limiti, E., Ayllon, N. (2014). Characterization of 0.25 um and 0.5 um AlGaN/GaN HEMT Devices forHigh Power Switching Applications. In Proceedings of the 7th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop (pp.105-109).

Characterization of 0.25 um and 0.5 um AlGaN/GaN HEMT Devices forHigh Power Switching Applications

CICCOGNANI, WALTER;LIMITI, ERNESTO;
2014-09-01
7th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop
Frascati, Roma, Italy
2014
7
European Space Agency
Rilevanza internazionale
contributo
set-2014
set-2014
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Intervento a convegno
Pirola, M., Camarchia, V., Quaglia, R., Ciccognani, W., Limiti, E., Ayllon, N. (2014). Characterization of 0.25 um and 0.5 um AlGaN/GaN HEMT Devices forHigh Power Switching Applications. In Proceedings of the 7th Wide Band Gap Semiconductor and Components Workshop (pp.105-109).
Pirola, M; Camarchia, V; Quaglia, R; Ciccognani, W; Limiti, E; Ayllon, N
02 - Intervento a convegno
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