Marcal, L., Richard, M.-., Persichetti, L., Favre-Nicolin, V., Renevier, H., Fanfoni, M., et al. (2019). Modified strain and elastic energy behavior of Ge islands formed on high-miscut Si(0 0 1) substrates. APPLIED SURFACE SCIENCE, 466, 801-807 [10.1016/j.apsusc.2018.10.094].

Modified strain and elastic energy behavior of Ge islands formed on high-miscut Si(0 0 1) substrates

Persichetti L.;Fanfoni M.;Sgarlata A.;
2019-01-01

2019
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Esperti anonimi
Settore FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
English
Marcal, L., Richard, M.-., Persichetti, L., Favre-Nicolin, V., Renevier, H., Fanfoni, M., et al. (2019). Modified strain and elastic energy behavior of Ge islands formed on high-miscut Si(0 0 1) substrates. APPLIED SURFACE SCIENCE, 466, 801-807 [10.1016/j.apsusc.2018.10.094].
Marcal, Lab; Richard, M-; Persichetti, L; Favre-Nicolin, V; Renevier, H; Fanfoni, M; Sgarlata, A; Schulli, Tu; Malachias, A
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