Vittori, M., Colangeli, S., Ciccognani, W., Salvucci, A., Polli, G., Limiti, E. (2017). High performance X-band LNAs using a 0.25 μm GaN technology. In Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), 2017 13th Conference on (pp.157-160). IEEE [10.1109/PRIME.2017.7974131].

High performance X-band LNAs using a 0.25 μm GaN technology

Vittori M.;Colangeli S.;Ciccognani W.;Salvucci A.;Polli G.;Limiti E.
2017-06-01

13th Conference on PhD Research in Microelectronics
Giardini Naxos, Taormina, Italy
2017
13th
Rilevanza internazionale
contributo
giu-2017
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
low noise amplifier, GaN, robust, X band
Intervento a convegno
Vittori, M., Colangeli, S., Ciccognani, W., Salvucci, A., Polli, G., Limiti, E. (2017). High performance X-band LNAs using a 0.25 μm GaN technology. In Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), 2017 13th Conference on (pp.157-160). IEEE [10.1109/PRIME.2017.7974131].
Vittori, M; Colangeli, S; Ciccognani, W; Salvucci, A; Polli, G; Limiti, E
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/197234
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 19
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 15
social impact