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Peroni, M., Nanni, A., Costrini, C., Dominijanni, D., Giovine, E., Limiti, E., et al. (2011). Scalable gate two EBL steps fabrication process for optimal high frequency GaN HEMT performances. In Proceedings of the 35th workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits (WOCSDICE 2011) (pp.145-146). Catania.

Scalable gate two EBL steps fabrication process for optimal high frequency GaN HEMT performances

LIMITI, ERNESTO;CICCOGNANI, WALTER
2011-05-01
35th Workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits (WOCSDICE 2011)
Catania, Italy
2011
Rilevanza internazionale
contributo
mag-2011
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Intervento a convegno
Peroni, M., Nanni, A., Costrini, C., Dominijanni, D., Giovine, E., Limiti, E., et al. (2011). Scalable gate two EBL steps fabrication process for optimal high frequency GaN HEMT performances. In Proceedings of the 35th workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits (WOCSDICE 2011) (pp.145-146). Catania.
Peroni, M; Nanni, A; Costrini, C; Dominijanni, D; Giovine, E; Limiti, E; Ciccognani, W
02 - Intervento a convegno
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