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Data di pubblicazione Titolo Autore(i) Tipo File
1-lug-2018 Ka-/V-band self-biased LNAs in 70 nm GaAs/InGaAs Technology Polli, G; Vittori, M; Ciccognani, W; Colangeli, S; Costanzo, F; Salvucci, A; Limiti, E Intervento a convegno
1-ago-2018 A high-performance C-band integrated front-end in AlGaN/GaN technology Polli, G; Del Gaudio, A; De Padova, A; Colangeli, S; Ciccognani, W; Giofre, R; Salvucci, A; Limiti, E Intervento a convegno
1-ago-2018 A Q-Band MMIC Power Amplifier in GaN on Si Technology for Space Applications Costanzo, F; Giofre, R; Polli, G; Salvucci, A; Limiti, E Intervento a convegno
1-ago-2018 S-Band GaN Single-Chip Front End for Active Electronically Scanned Array With 40-W Output Power and 1.75-dB Noise Figure Giofre, R; Colangeli, S; Ciccognani, W; Costanzo, F; Polli, G; Salvucci, A; Vittori, M; Sotgia, M; Cirillo, M; Limiti, E Articolo su rivista
1-ago-2018 A 4W 37.5-42.5 GHz Power Amplifier MMIC in GaN on Si Technology Costanzo, F; Giofre, R; Salvucci, A; Polli, G; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2019 GaN/Si ka-band SPDT for observation payloads Polli, G; Longhi, Pe; Colangeli, S; Fenu, S; Costanzo, F; Ciccognani, W; Limiti, E Intervento a convegno
1-gen-2020 A C-Band GaN Single Chip Front-End for SAR Applications Giofre, R; Ciccognani, W; Colangeli, S; Feudale, M; Lanzieri, C; Polli, G; Salvucci, A; Suriani, A; Vittori, M; Limiti, E Intervento a convegno
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