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Beneficial defects: Exploiting the intrinsic polishing-induced wafer roughness for the catalyst-free growth of Ge in-plane nanowires
2014-01-01 Persichetti, L; Sgarlata, A; Mori, S; Notarianni, M; Cherubini, V; Fanfoni, M; Motta, N; Balzarotti, A
Correlative analysis on InGaN/GaN nanowires: structural and optical properties of self-assembled short-period superlattices
2023-03-01 Alonso-Orts, M; Hötzel, R; Grieb, T; Auf der Maur, M; Ries, M; Nippert, F; März, B; Müller-Caspary, K; Wagner, Mr; Rosenauer, A; Eickhoff, M
Data di pubblicazione | Titolo | Autore(i) | Tipo | File |
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1-gen-2014 | Beneficial defects: Exploiting the intrinsic polishing-induced wafer roughness for the catalyst-free growth of Ge in-plane nanowires | Persichetti, L; Sgarlata, A; Mori, S; Notarianni, M; Cherubini, V; Fanfoni, M; Motta, N; Balzarotti, A | Articolo su rivista | |
1-mar-2023 | Correlative analysis on InGaN/GaN nanowires: structural and optical properties of self-assembled short-period superlattices | Alonso-Orts, M; Hötzel, R; Grieb, T; Auf der Maur, M; Ries, M; Nippert, F; März, B; Müller-Caspary, K; Wagner, Mr; Rosenauer, A; Eickhoff, M | Articolo su rivista |
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