Since its reappearance in the early 1990s gallium nitride (GaN) has been regarded as a very interesting and highly promising material system for both optical and microwave high-power electronic applications. Over the last fifteen years researchers all around the world have made great efforts in order to redeem these promises. GaN-based optical applications have first reached the stage of commercialization while microwave high-power electronics are on the verge of their commercial breakthrough. The value of the worldwide GaN device market, which at present is about $3.5 billion, is estimated to be $7.2 billion by the year 2009.

Dalla sua prima apparizione nei primi anni novanta il nitrurio di gallio (GaN) ha suscitato parecchio interesse come materiale molto promettente sia per applicazioni di optoelettronica sia per dispositivi a microonde ad alta potenza. Durante gli ultimi quindici anni la ricerca di tutto il mondo ha fatto un grosso sforzo per realizzare queste promesse. Applicazioni optoelettronici basati su GaN sono gia' stati commercializzati, mentre per i dispositivi a microonde ad alta potenza manca poco alla commercializzazione. Si stima che il valore mondiale del mercato di dispositivi GaN nel 2009 ammontera' a 7.2 miliardi di dollari.

Russo, S. (2009). Gallium nitride-based device simulation and development.

Gallium nitride-based device simulation and development

RUSSO, STEFANO
2009-01-08

Abstract

Dalla sua prima apparizione nei primi anni novanta il nitrurio di gallio (GaN) ha suscitato parecchio interesse come materiale molto promettente sia per applicazioni di optoelettronica sia per dispositivi a microonde ad alta potenza. Durante gli ultimi quindici anni la ricerca di tutto il mondo ha fatto un grosso sforzo per realizzare queste promesse. Applicazioni optoelettronici basati su GaN sono gia' stati commercializzati, mentre per i dispositivi a microonde ad alta potenza manca poco alla commercializzazione. Si stima che il valore mondiale del mercato di dispositivi GaN nel 2009 ammontera' a 7.2 miliardi di dollari.
A.A. 2007/2008
Sistemi e tecnologie per lo spazio
20.
Since its reappearance in the early 1990s gallium nitride (GaN) has been regarded as a very interesting and highly promising material system for both optical and microwave high-power electronic applications. Over the last fifteen years researchers all around the world have made great efforts in order to redeem these promises. GaN-based optical applications have first reached the stage of commercialization while microwave high-power electronics are on the verge of their commercial breakthrough. The value of the worldwide GaN device market, which at present is about $3.5 billion, is estimated to be $7.2 billion by the year 2009.
GaN; device simulation; drift-diffusion; HEMT; Schottky diode; Monte-Carlo
Settore ING-INF/01 - Elettronica
English
Tesi di dottorato
Russo, S. (2009). Gallium nitride-based device simulation and development.
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