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Pronounced changes in low-frequency noise power spectra have been observed, close to the transition temperature, in current biased high-T(c) superconducting thin films. Generally, the spectra scale as 1/f(alpha), where 0.5 < alpha < 2 and depends strongly on temperature and dc current flow. We attribute most of the changes in a to the activation of Random Telegraph Signals due to flux hopping processes. However, peaks of excess noise that show out at certain current flows can not be explained by the action of elementary two-level fluctuators, clearly indicating yet another mechanism contributing to the 1/f power spectra.
Gierlowski, P., Jung, G., Kula, W., Lewandowski, S.j., Savo, B., Sobolewski, R., et al. (1994). Low frequency voltage noise in current biased HTCS thin films. PHYSICA. B, CONDENSED MATTER, 194-196, 2043-2044.
Low frequency voltage noise in current biased HTCS thin films
Gierlowski P.;Jung G.;Kula W.;Lewandowski S. J.;Savo B.;Sobolewski R.;TEBANO, ANTONELLO;Vecchione A.
1994-01-01
Abstract
Pronounced changes in low-frequency noise power spectra have been observed, close to the transition temperature, in current biased high-T(c) superconducting thin films. Generally, the spectra scale as 1/f(alpha), where 0.5 < alpha < 2 and depends strongly on temperature and dc current flow. We attribute most of the changes in a to the activation of Random Telegraph Signals due to flux hopping processes. However, peaks of excess noise that show out at certain current flows can not be explained by the action of elementary two-level fluctuators, clearly indicating yet another mechanism contributing to the 1/f power spectra.
Electric currents; Magnetic field effects; Spurious signal noise; Superconducting films; Superconducting transition temperature; Thermal effects; Thin films; Current bias; DC current flow; Flux hopping process; Low frequency voltage noise; Power density spectrum; Random telegraph noise; Two level fluctuators; High temperature superconductors
Gierlowski, P., Jung, G., Kula, W., Lewandowski, S.j., Savo, B., Sobolewski, R., et al. (1994). Low frequency voltage noise in current biased HTCS thin films. PHYSICA. B, CONDENSED MATTER, 194-196, 2043-2044.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/51493
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
