Temperature-modulated reflectance of GaSe at the ground state exciton line

Thermoreflectance spectra in the exciton region were obtained on the layer compound GaSe. The experimental results can be explained by assuming that the only temperature effect is a shift of the whole structure. At liquid nitrogen temperature the values Eo = 2.093 eV and T = 41.0 meV are found for the first energy level and the broadening parameter, respectively. Measurements at three different temperatures gave the value dE0/dT = −5.49 × 10−4 eV/deg for the temperature coefficient. On a mesuré les spectres de thermoréflectivité du composé lamellaire GaSe dans la region excitonique. Les resultats des expériences peuvent ětre expliqués par un déplacement des structures seulement. A la température de l'azote liquide on a trouvé pour le premier niveau d'énergie et pour le paramètre d'élargissement les valeurs E0 = 2,093 eV, et T = 41,0 meV. Par des mesures à trois températures différentes nous avons obtenu pour le coefficient thermique la valeur dE0/dT = −5,49 × 10−4 eV/deg.