Electronic structure of aluminum oxide as determined by x-ray photoemission

The electronic structure of the valence band of crystalline ( and ) and amorphous Al2 O3 is measured by X-ray photoemission. No significant changes are found in the different crystalline forms. A broad band observed at about 4 eV below the valence band is associated with the 2s states of the oxygen atoms, in agreement with band calculations. An electronic structure scheme of the aluminium oxide is constructed from photoemission, v. u. v. and X-ray optical data. On a mesuré par la photoémission × la structure éléctronique de la bande de valence de l'oxyde d'aluminium dans les phases amorphes et crystallines ( et ). Changes tout à fait negligeables ont été observés dans les différentes formes crystallines. Une structure paraissant jusqu'à 4 eV au-dessus de la bande de valence a été liée aux états 2s de l'oxygène, en accord avec les calcules des bandes. Ces mesures et celles d'absorption optique dans les régions de l'ultraviolet et des rayons X, ont permis d'établir une schème de niveaux electroniques de l'oxyde d'aluminium.