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A study was performed to demonstrate that, depending on the exposure conditions, NO can adsorb in three different configurations on the Si(111)7×7 surface. At room temperature, the adsorption was dissociative. For temperatures below 70 K and for low coverage, a transient molecular adsorption was observed in addition to the permanent dissociative one. At low temperature and for higher coverages, NO was condensed in multilayers.
Hellner, L., Comtet, G., Ramage, M., Bobrov, K., Carbone, M., Dujardin, G. (2003). Selective ion photodesorption from NO adsorbed on Si(111)7×7 following core excitation. THE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 119(1), 515-523 [10.1063/1.1578611].
Selective ion photodesorption from NO adsorbed on Si(111)7×7 following core excitation
Hellner, L;Comtet, G;Ramage, MJ;Bobrov, K;CARBONE, MARILENA;Dujardin, G.
2003-01-01
Abstract
A study was performed to demonstrate that, depending on the exposure conditions, NO can adsorb in three different configurations on the Si(111)7×7 surface. At room temperature, the adsorption was dissociative. For temperatures below 70 K and for low coverage, a transient molecular adsorption was observed in addition to the permanent dissociative one. At low temperature and for higher coverages, NO was condensed in multilayers.
Settore CHIM/03 - CHIMICA GENERALE E INORGANICA Settore CHIM/02 - CHIMICA FISICA
English
Con Impact Factor ISI
Adsorption; Desorption; Dissociation; Low temperature effects; Nitrogen oxides; Photoemission; Photons; Semiconducting silicon; Stimulated emission; Ultraviolet spectroscopy; X ray spectroscopy; Core electron excitation; Photodesorption; Silicon oxynitride; Transient molecular adsorption; Ultraviolet photoemission spectroscopy; Molecular dynamics
Hellner, L., Comtet, G., Ramage, M., Bobrov, K., Carbone, M., Dujardin, G. (2003). Selective ion photodesorption from NO adsorbed on Si(111)7×7 following core excitation. THE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 119(1), 515-523 [10.1063/1.1578611].
Hellner, L; Comtet, G; Ramage, M; Bobrov, K; Carbone, M; Dujardin, G
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
