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Using the technique of photoelectron diffraction in the scanned energy mode we show that the Si dimer separation on the Si{100} surface following the adsorption of ethene (ethylene) is 2.36(±0:21) Å. This value is only very slightly larger than on the clean surface and shows that the dimer remains intact, thus providing a clear quantitative experimental resolution of a long controversy in the literature. The C-C and C-Si separations are 1.62±0.08 Å and 1.90 ± 0.01 Å, respectively, the former indicating a bond order of less than one.
Baumgartel, P., Lindsay, R., Schaff, O., Giessel, T., Terborg, R., Hoeft, J., et al. (1999). The dimers stay intact: A quantitative photoelectron study of the adsorption system Si{100}(2x1)-C2H4. NEW JOURNAL OF PHYSICS, 1 [10.1088/1367-2630/1/1/320].
The dimers stay intact: A quantitative photoelectron study of the adsorption system Si{100}(2x1)-C2H4
Using the technique of photoelectron diffraction in the scanned energy mode we show that the Si dimer separation on the Si{100} surface following the adsorption of ethene (ethylene) is 2.36(±0:21) Å. This value is only very slightly larger than on the clean surface and shows that the dimer remains intact, thus providing a clear quantitative experimental resolution of a long controversy in the literature. The C-C and C-Si separations are 1.62±0.08 Å and 1.90 ± 0.01 Å, respectively, the former indicating a bond order of less than one.
Settore CHIM/03 - CHIMICA GENERALE E INORGANICA Settore CHIM/02 - CHIMICA FISICA
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Con Impact Factor ISI
Baumgartel, P., Lindsay, R., Schaff, O., Giessel, T., Terborg, R., Hoeft, J., et al. (1999). The dimers stay intact: A quantitative photoelectron study of the adsorption system Si{100}(2x1)-C2H4. NEW JOURNAL OF PHYSICS, 1 [10.1088/1367-2630/1/1/320].
Baumgartel, P; Lindsay, R; Schaff, O; Giessel, T; Terborg, R; Hoeft, J; Polcik, M; Bradshaw, A; Carbone, M; Piancastelli, M; Zanoni, R; Toomes, R; Woodruff, D
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/42869
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
