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The design, fabrication and test of X-band high-power monolithic SPDT switches in microstrip GaN technology Lire presented. Such switches have demonstrated state-of-the-art performance: they exhibit I dB on-state insertion loss and better than 37 dB isolation. power-handling measurements have shown that no compression phenomenon occurs with an input power equal to 39.5 dBm at 10 GHz.
Ciccognani, W., De Dominicis, M., Ferrari, M., Limiti, E., Peroni, M., Romanini, P. (2008). High-power monolithic AlGaN/GaN HEMT switch for X-band applications. ELECTRONICS LETTERS, 44(15), 911-913 [10.1049/el:20081170].
High-power monolithic AlGaN/GaN HEMT switch for X-band applications
The design, fabrication and test of X-band high-power monolithic SPDT switches in microstrip GaN technology Lire presented. Such switches have demonstrated state-of-the-art performance: they exhibit I dB on-state insertion loss and better than 37 dB isolation. power-handling measurements have shown that no compression phenomenon occurs with an input power equal to 39.5 dBm at 10 GHz.
Gallium nitride; Optical design; Semiconducting gallium; AlGaN/GaN HEMT; Compression phenomenon; High powers; Input powers; Microstrip (MSL); SPDT switches; State of the art performance; Switches
Ciccognani, W., De Dominicis, M., Ferrari, M., Limiti, E., Peroni, M., Romanini, P. (2008). High-power monolithic AlGaN/GaN HEMT switch for X-band applications. ELECTRONICS LETTERS, 44(15), 911-913 [10.1049/el:20081170].
Ciccognani, W; De Dominicis, M; Ferrari, M; Limiti, E; Peroni, M; Romanini, P
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/37722
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
