Longhi, P.e., Pace, L., Costanzo, F., Ciccognani, W., Colangeli, S., Giofre, R., et al. (2023). 32–36-GHz Single-Chip Front-End MMIC Featuring 35-dBm Output Power and 3.2-dB Noise Figure With 60-and 100-nm GaN/Si HEMTs. IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, 1-13 [10.1109/TMTT.2023.3294020].

32–36-GHz Single-Chip Front-End MMIC Featuring 35-dBm Output Power and 3.2-dB Noise Figure With 60-and 100-nm GaN/Si HEMTs

Longhi, Patrick E.
;
Costanzo, Ferdinando;Ciccognani, Walter;Colangeli, Sergio;Giofre, Rocco;Limiti, Ernesto
2023-01-01

2023
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Esperti anonimi
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
https://ieeexplore.ieee.org/document/10189209
Longhi, P.e., Pace, L., Costanzo, F., Ciccognani, W., Colangeli, S., Giofre, R., et al. (2023). 32–36-GHz Single-Chip Front-End MMIC Featuring 35-dBm Output Power and 3.2-dB Noise Figure With 60-and 100-nm GaN/Si HEMTs. IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, 1-13 [10.1109/TMTT.2023.3294020].
Longhi, Pe; Pace, L; Costanzo, F; Ciccognani, W; Colangeli, S; Giofre, R; Leblanc, R; Suriani, A; Vitobello, F; Limiti, E
Articolo su rivista
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
3236-GHz_Single-Chip_Front-End_MMIC_Featuring_35-dBm_Output_Power_and_3.2-dB_Noise_Figure_With_60-and_100-nm_GaN_Si_HEMTs.pdf

solo utenti autorizzati

Tipologia: Versione Editoriale (PDF)
Licenza: Copyright dell'editore
Dimensione 2.83 MB
Formato Adobe PDF
2.83 MB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/332563
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 0
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact