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: Wurtzite AlGaAs is a technologically promising yet unexplored material. Here we study it both experimentally and numerically. We develop a complete numerical model based on an 8-band k→·p→ method, including electromechanical fields, and calculate the optoelectronic properties of wurtzite AlGaAs nanowires with different Al content. We then compare them with our experimental data. Our results strongly suggest that wurtzite AlGaAs is a direct band gap material. Moreover, we have also numerically obtained the band gap of wurtzite AlAs and the valence band offset between AlAs and GaAs in the wurtzite symmetry.
Barettin, D., Shtrom, I.v., Reznik, R.r., Mikushev, S.v., Cirlin, G.e., Auf der Maur, M., et al. (2023). Direct Band Gap AlGaAs Wurtzite Nanowires. NANO LETTERS, 23(3), 895-901 [10.1021/acs.nanolett.2c04184].
Direct Band Gap AlGaAs Wurtzite Nanowires
Barettin, Daniele;Shtrom, Igor V;Reznik, Rodion R;Mikushev, Sergey V;Cirlin, George E;Auf der Maur, Matthias;Akopian, Nika
2023-02-08
Abstract
: Wurtzite AlGaAs is a technologically promising yet unexplored material. Here we study it both experimentally and numerically. We develop a complete numerical model based on an 8-band k→·p→ method, including electromechanical fields, and calculate the optoelectronic properties of wurtzite AlGaAs nanowires with different Al content. We then compare them with our experimental data. Our results strongly suggest that wurtzite AlGaAs is a direct band gap material. Moreover, we have also numerically obtained the band gap of wurtzite AlAs and the valence band offset between AlAs and GaAs in the wurtzite symmetry.
Barettin, D., Shtrom, I.v., Reznik, R.r., Mikushev, S.v., Cirlin, G.e., Auf der Maur, M., et al. (2023). Direct Band Gap AlGaAs Wurtzite Nanowires. NANO LETTERS, 23(3), 895-901 [10.1021/acs.nanolett.2c04184].
Barettin, D; Shtrom, Iv; Reznik, Rr; Mikushev, Sv; Cirlin, Ge; Auf der Maur, M; Akopian, N
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
