Ries, M., Poliani, E., Nippert, F., Seidlitz, D., Greif, L., Koslow, I., et al. (2023). Impact of nanoscale fluctuations and cap-layer thickness in buried InGaN single quantum wells probed by tip-enhanced Raman scattering. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 133(9), 094303 [10.1063/5.0129896].

Impact of nanoscale fluctuations and cap-layer thickness in buried InGaN single quantum wells probed by tip-enhanced Raman scattering

Auf der Maur, M.;
2023-01-01

2023
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Esperti anonimi
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Ries, M., Poliani, E., Nippert, F., Seidlitz, D., Greif, L., Koslow, I., et al. (2023). Impact of nanoscale fluctuations and cap-layer thickness in buried InGaN single quantum wells probed by tip-enhanced Raman scattering. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 133(9), 094303 [10.1063/5.0129896].
Ries, M; Poliani, E; Nippert, F; Seidlitz, D; Greif, Lth; Koslow, I; Bläsing, J; Auf der Maur, M; Hoffmann, A; Esser, N; Wagner, Mr
Articolo su rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/316937
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 0
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact