Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., et al. (2020). Atomic-scale insights into semiconductor heterostructures: from experimental three-dimensional analysis of the interface to a generalized theory of interfacial roughness scattering. PHYSICAL REVIEW APPLIED, 13(4) [10.1103/PhysRevApplied.13.044062].

Atomic-scale insights into semiconductor heterostructures: from experimental three-dimensional analysis of the interface to a generalized theory of interfacial roughness scattering

Persichetti, L.;
2020-01-01

2020
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Esperti anonimi
Settore FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
English
Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., et al. (2020). Atomic-scale insights into semiconductor heterostructures: from experimental three-dimensional analysis of the interface to a generalized theory of interfacial roughness scattering. PHYSICAL REVIEW APPLIED, 13(4) [10.1103/PhysRevApplied.13.044062].
Grange, T; Mukherjee, S; Capellini, G; Montanari, M; Persichetti, L; Di Gaspare, L; Birner, S; Attiaoui, A; Moutanabbir, O; Virgilio, M; De Seta, M
Articolo su rivista
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
PhysRevApplied.13.044062.pdf

solo utenti autorizzati

Tipologia: Versione Editoriale (PDF)
Licenza: Copyright dell'editore
Dimensione 3.92 MB
Formato Adobe PDF
3.92 MB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/300513
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 28
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 27
social impact