Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., et al. (2020). Atomic-scale insights into semiconductor heterostructures: from experimental three-dimensional analysis of the interface to a generalized theory of interfacial roughness scattering. PHYSICAL REVIEW APPLIED, 13(4) [10.1103/PhysRevApplied.13.044062].

Atomic-scale insights into semiconductor heterostructures: from experimental three-dimensional analysis of the interface to a generalized theory of interfacial roughness scattering

Persichetti, L.;
2020-01-01

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Rilevanza internazionale
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Esperti anonimi
Settore FIS/03
English
Grange, T., Mukherjee, S., Capellini, G., Montanari, M., Persichetti, L., Di Gaspare, L., et al. (2020). Atomic-scale insights into semiconductor heterostructures: from experimental three-dimensional analysis of the interface to a generalized theory of interfacial roughness scattering. PHYSICAL REVIEW APPLIED, 13(4) [10.1103/PhysRevApplied.13.044062].
Grange, T; Mukherjee, S; Capellini, G; Montanari, M; Persichetti, L; Di Gaspare, L; Birner, S; Attiaoui, A; Moutanabbir, O; Virgilio, M; De Seta, M
Articolo su rivista
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