The experimental results of an ultra-wideband high-efficiency power amplifier (PA) in GaN technology are presented. The active device is a HEMT with 1 mm of gate periphery. The realised PA operates from 0.8 to 4 GHz, showing a drain efficiency greater than 40% with an output power higher than 32 dBm in the overall bandwidth.
Colantonio, P., Giannini, F., Giofrè, R., & Piazzon, L. (2008). High-efficiency ultra-wideband power amplifier in GaN technology. ELECTRONICS LETTERS, 44(2), 130-131 [10.1049/el:20083067].
Tipologia: | Articolo su rivista | |
Citazione: | Colantonio, P., Giannini, F., Giofrè, R., & Piazzon, L. (2008). High-efficiency ultra-wideband power amplifier in GaN technology. ELECTRONICS LETTERS, 44(2), 130-131 [10.1049/el:20083067]. | |
IF: | Con Impact Factor ISI | |
Lingua: | English | |
Settore Scientifico Disciplinare: | Settore ING-INF/01 - Elettronica | |
Revisione (peer review): | Sì, ma tipo non specificato | |
Tipo: | Articolo | |
Rilevanza: | Rilevanza internazionale | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1049/el:20083067 | |
Stato di pubblicazione: | Pubblicato | |
Data di pubblicazione: | 2008 | |
Titolo: | High-efficiency ultra-wideband power amplifier in GaN technology | |
Autori: | ||
Autori: | Colantonio, P; Giannini, F; Giofrè, R; Piazzon, L | |
Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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