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EnglishThe experimental results of an ultra-wideband high-efficiency power amplifier (PA) in GaN technology are presented. The active device is a HEMT with 1 mm of gate periphery. The realised PA operates from 0.8 to 4 GHz, showing a drain efficiency greater than 40% with an output power higher than 32 dBm in the overall bandwidth.
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http://hdl.handle.net/2108/27868| Tipologia: | Articolo su rivista |
| Citazione: | Colantonio, P., Giannini, F., Giofrè, R., & Piazzon, L. (2008). High-efficiency ultra-wideband power amplifier in GaN technology. ELECTRONICS LETTERS, 44(2), 130-131. |
| IF: | Con Impact Factor ISI |
| Lingua: | English |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore ING-INF/01 - Elettronica |
| Revisione (peer review): | Sì, ma tipo non specificato |
| Tipo: | Articolo |
| Rilevanza: | Rilevanza internazionale |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1049/el:20083067 |
| Stato di pubblicazione: | Pubblicato |
| Data di pubblicazione: | 2008 |
| Titolo: | High-efficiency ultra-wideband power amplifier in GaN technology |
| Autori interni: | COLANTONIO, PAOLO GIANNINI, FRANCO GIOFRE', ROCCO PIAZZON, LUCA |
| Autori: | Colantonio, P; Giannini, F; Giofrè, R; Piazzon, L |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
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