Barettin, D., Auf der Maur, M., Pecchia, A., Zhang, Y., Willatzen, M., Lin Wang, Z. (2021). Piezoelectric tunability and topological insulator transition in a GaN/InN/GaN quantum-well device. JPHYS MATERIALS, 4(3), 034008 [10.1088/2515-7639/abf7dc].

Piezoelectric tunability and topological insulator transition in a GaN/InN/GaN quantum-well device

Auf der Maur, Matthias;
2021-01-01

2021
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Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
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Barettin, D., Auf der Maur, M., Pecchia, A., Zhang, Y., Willatzen, M., Lin Wang, Z. (2021). Piezoelectric tunability and topological insulator transition in a GaN/InN/GaN quantum-well device. JPHYS MATERIALS, 4(3), 034008 [10.1088/2515-7639/abf7dc].
Barettin, D; Auf der Maur, M; Pecchia, A; Zhang, Y; Willatzen, M; Lin Wang, Z
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