Barettin, D., Auf der Maur, M., Pecchia, A., Zhang, Y., Willatzen, M., Lin Wang, Z. (2021). Piezoelectric tunability and topological insulator transition in a GaN/InN/GaN quantum-well device. JPHYS MATERIALS, 4(3), 034008 [10.1088/2515-7639/abf7dc].
Piezoelectric tunability and topological insulator transition in a GaN/InN/GaN quantum-well device
Auf der Maur, Matthias;
2021-01-01
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
Barettin_2021_J._Phys._Mater._4_034008.pdf
accesso aperto
Tipologia:
Versione Editoriale (PDF)
Licenza:
Creative commons
Dimensione
529 kB
Formato
Adobe PDF
|
529 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.