Khan, U., Kim, T., Khan, M.a., Kim, J., Falconi, C., Kim, S. (2020). Zero-writing-power tribotronic MoS2 touch memory. NANO ENERGY, 104936 [10.1016/j.nanoen.2020.104936].

Zero-writing-power tribotronic MoS2 touch memory

Khan, Usman;Falconi, Christian
;
2020-01-01

2020
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Esperti anonimi
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
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https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S2211285520304936
Khan, U., Kim, T., Khan, M.a., Kim, J., Falconi, C., Kim, S. (2020). Zero-writing-power tribotronic MoS2 touch memory. NANO ENERGY, 104936 [10.1016/j.nanoen.2020.104936].
Khan, U; Kim, T; Khan, Ma; Kim, J; Falconi, C; Kim, S
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