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Sinisi, F., Mariucci, L., Rossi, M., Conte, G., Limiti, E., Lavanga, S., et al. (2008). Sub-micron gate length MESFET on hydrogen-terminated polycrystalline diamond. INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY, 3(3), 235-242.

Sub-micron gate length MESFET on hydrogen-terminated polycrystalline diamond

LIMITI, ERNESTO;
2008-07-01
lug-2008
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Sì, ma tipo non specificato
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Senza Impact Factor ISI
Sinisi, F., Mariucci, L., Rossi, M., Conte, G., Limiti, E., Lavanga, S., et al. (2008). Sub-micron gate length MESFET on hydrogen-terminated polycrystalline diamond. INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY, 3(3), 235-242.
Sinisi, F; Mariucci, L; Rossi, M; Conte, G; Limiti, E; Lavanga, S; Lanzieri, C; Cetronio, A; Ralchenko, V
Articolo su rivista
01 - Articolo su rivista
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