IRIS

Ciccognani, W., Ferrari, M., Limiti, E. (2010). High-isolation microstrip GaN HEMT single-FET switch. INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING, 20(4), 391-398 [10.1002/mmce.20443].

High-isolation microstrip GaN HEMT single-FET switch

CICCOGNANI, WALTER;LIMITI, ERNESTO
2010-07-01
lug-2010
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Sì, ma tipo non specificato
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Con Impact Factor ISI
Ciccognani, W., Ferrari, M., Limiti, E. (2010). High-isolation microstrip GaN HEMT single-FET switch. INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING, 20(4), 391-398 [10.1002/mmce.20443].
Ciccognani, W; Ferrari, M; Limiti, E
Articolo su rivista
01 - Articolo su rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/13545
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 14
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 9
social impact