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We investigate atmospheric neutron effects on floating gate cells in MLC NAND Flash memories. Loss of information is shown to occur especially at the highest program levels, but to an extent that does not challenge current error correction capabilities. We discuss the physical mechanisms and analyze scaling trends, which show a rapid increase in sensitivity for decreasing feature size. A large spread in the cross section is visible from vendor to vendor for comparable feature size.
Gerardin, S., Bagatin, M., Paccagnella, A., Cellere, G., Visconti, A., Beltrami, S., et al. (2010). Scaling Trends of Neutron Effects in MLC NAND Flash Memories. In 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium (pp. 400-406). IEEE [10.1109/IRPS.2010.5488797].
Scaling Trends of Neutron Effects in MLC NAND Flash Memories
Gerardin, S;Bagatin, M;Paccagnella, A;Cellere, G;Visconti, A;Beltrami, S;ANDREANI, CARLA;Gorini, G;Frost C.
2010-01-01
Abstract
We investigate atmospheric neutron effects on floating gate cells in MLC NAND Flash memories. Loss of information is shown to occur especially at the highest program levels, but to an extent that does not challenge current error correction capabilities. We discuss the physical mechanisms and analyze scaling trends, which show a rapid increase in sensitivity for decreasing feature size. A large spread in the cross section is visible from vendor to vendor for comparable feature size.
Settore FIS/07 - FISICA APPLICATA (A BENI CULTURALI, AMBIENTALI, BIOLOGIA E MEDICINA) Settore FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
English
Rilevanza internazionale
This paper appears in: Reliability Physics Symposium (IRPS), 2011 IEEE International
Issue Date: 10-14 April 2011
On page(s): 1 - 1
Location: Monterey, CA, USA
ISSN: 1541-7026
E-ISBN: 978-1-4244-9111-7
Print ISBN: 978-1-4244-9113-1
Digital Object Identifier: 10.1109/IRPS.2011.5784430
Date of Current Version: 07 June 2011
Gerardin, S., Bagatin, M., Paccagnella, A., Cellere, G., Visconti, A., Beltrami, S., et al. (2010). Scaling Trends of Neutron Effects in MLC NAND Flash Memories. In 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium (pp. 400-406). IEEE [10.1109/IRPS.2010.5488797].
Gerardin, S; Bagatin, M; Paccagnella, A; Cellere, G; Visconti, A; Beltrami, S; Andreani, C; Gorini, G; Frost, C
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
