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In this contribution the features of GaN technology for power applications will be explored from the designer point of view. Therefore, the active device will be studied as a black box using its simplified model and putting in evidence the role of its key parameters such as the knee voltage, the breakdown voltage, etc. At the end, the experimental results of several power amplifiers designed using different strategies will be presented to highlight both, the capabilities and/or drawbacks of such material.
Colantonio, P., Giannini, F., Giofre', R., Piazzon, L. (2009). Evaluation of GaN technology in power amplifier design. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 51(1), 42-44 [10.1002/mop.23958].
Evaluation of GaN technology in power amplifier design
In this contribution the features of GaN technology for power applications will be explored from the designer point of view. Therefore, the active device will be studied as a black box using its simplified model and putting in evidence the role of its key parameters such as the knee voltage, the breakdown voltage, etc. At the end, the experimental results of several power amplifiers designed using different strategies will be presented to highlight both, the capabilities and/or drawbacks of such material.
Electric conductivity; Gallium nitride; Heterojunction bipolar transistors; Ionization of gases; Power amplifiers; Semiconducting gallium
Colantonio, P., Giannini, F., Giofre', R., Piazzon, L. (2009). Evaluation of GaN technology in power amplifier design. MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 51(1), 42-44 [10.1002/mop.23958].
Colantonio, P; Giannini, F; Giofre', R; Piazzon, L
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
