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EnglishThe temperature dependence of the ground-state recovery of the F-center in NaI after optical excitations is studied with a pump-probe laser technique. At 10 K the lifetime of the relaxed excited state (tens of ns) is identified together with a much smaller 10 ps contribution possibly related to the Dexter-Klick-Russell cross-over process. © 1994.
De Matteis, F., Leblans, M., & Schoemaker, D. (1994). Radiationless electronic relaxation of the F-center in NaI. JOURNAL OF LUMINESCENCE, 60-61(C), 563-565.
| Tipologia: | Articolo su rivista |
| Citazione: | De Matteis, F., Leblans, M., & Schoemaker, D. (1994). Radiationless electronic relaxation of the F-center in NaI. JOURNAL OF LUMINESCENCE, 60-61(C), 563-565. |
| Lingua: | English |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore FIS/03 - Fisica della Materia |
| Revisione (peer review): | Esperti anonimi |
| Tipo: | Articolo |
| Rilevanza: | Rilevanza internazionale |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/0022-2313(94)90217-8 |
| Stato di pubblicazione: | Pubblicato |
| Data di pubblicazione: | 1994 |
| Titolo: | Radiationless electronic relaxation of the F-center in NaI |
| Autori: | |
| Autori: | De Matteis, F; Leblans, M; Schoemaker, D |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/2108/129653
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