Saggio, G., La Monica, S. (1995). Reactive Ion Etching characterization of a-Si:H and a-SiC:H thin films. In Hydrogenated amorphous silicon (pp. 347-354). Hans Neber-Aeschbacher.

Reactive Ion Etching characterization of a-Si:H and a-SiC:H thin films

SAGGIO, GIOVANNI;
1995-01-01

1995
Settore ING-INF/01 - ELETTRONICA
English
Rilevanza internazionale
Capitolo o saggio
Amorphous semiconductor; Dry etching
http://www.scientific.net/SSP.44-46.347
Saggio, G., La Monica, S. (1995). Reactive Ion Etching characterization of a-Si:H and a-SiC:H thin films. In Hydrogenated amorphous silicon (pp. 347-354). Hans Neber-Aeschbacher.
Saggio, G; La Monica, S
Contributo in libro
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

Questo articolo è pubblicato sotto una Licenza Licenza Creative Commons Creative Commons

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/11463
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact