Iori, F., Degoli, E., Palummo, M., Ossicini, S. (2009). Novel optoelectronic properties of simultaneously n- and p-doped silicon nanostructures. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 44, 337 [10.1016/j.spmi.2007.09.002].

Novel optoelectronic properties of simultaneously n- and p-doped silicon nanostructures

PALUMMO, MAURIZIA;
2009-01-01

2009
Pubblicato
Rilevanza internazionale
Articolo
Nessuno
Settore FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA
English
Con Impact Factor ISI
Iori, F., Degoli, E., Palummo, M., Ossicini, S. (2009). Novel optoelectronic properties of simultaneously n- and p-doped silicon nanostructures. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 44, 337 [10.1016/j.spmi.2007.09.002].
Iori, F; Degoli, E; Palummo, M; Ossicini, S
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