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In this paper the design, fabrication and test of XBand and 2-18GHz wideband high power SPDT MMIC switches in microstrip GaN technology are presented. Such switches have demonstrated state-of-the-art performances. In particular the XBand switch exhibits 1dB insertion loss, better than 37dB isolation and a power handling capability at 9 GHz of betterthan 39dBm at 1dB insertion loss compression point; the wideband switch has an insertion loss lower than 2.2dB, better than 25dB isolation and a power handling capability of better than 38dBm in the entire bandwidth.
Alleva, V., Bettidi, A., Cetronio, A., Ciccognani, W., Dominicis, M., Ferrari, M., et al. (2008). High power microstrip GaN-HEMT switches for microwave applications. In 2008 European Microwave Integrated Circuit Conference, EuMIC 2008 (pp.194-197). IEEE [10.1109/EMICC.2008.4772262].
High power microstrip GaN-HEMT switches for microwave applications
In this paper the design, fabrication and test of XBand and 2-18GHz wideband high power SPDT MMIC switches in microstrip GaN technology are presented. Such switches have demonstrated state-of-the-art performances. In particular the XBand switch exhibits 1dB insertion loss, better than 37dB isolation and a power handling capability at 9 GHz of betterthan 39dBm at 1dB insertion loss compression point; the wideband switch has an insertion loss lower than 2.2dB, better than 25dB isolation and a power handling capability of better than 38dBm in the entire bandwidth.
GaN HEMT; GaN technology; High-power; Loss compression; Microstrip; Microwave applications; MMIC switches; Power-handling capability; State-of-the-art performance; Wide-band; X-band switches; Bandwidth compression; DC generators; Electronic equipment testing; Gallium alloys; Gallium nitride; High electron mobility transistors; Insertion losses; Microwave integrated circuits; Microwaves; Semiconducting gallium; Switches
Intervento a convegno
Alleva, V., Bettidi, A., Cetronio, A., Ciccognani, W., Dominicis, M., Ferrari, M., et al. (2008). High power microstrip GaN-HEMT switches for microwave applications. In 2008 European Microwave Integrated Circuit Conference, EuMIC 2008 (pp.194-197). IEEE [10.1109/EMICC.2008.4772262].
Alleva, V; Bettidi, A; Cetronio, A; Ciccognani, W; Dominicis, M; Ferrari, M; Giovine, E; Lanzieri, C; Limiti, E; Megna, A; Peroni, M; Romanini, P
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/49750
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
