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IRIS
On the bases of the RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model is formulated and characterized for Metal-Semiconductor Field Effect Transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-wafer measurements, a bias dependent transistor behavior representation has been fully determinated. Such a equivalent circuit model is a first important step in order to realize an RF IC based on diamond.
Pasciuto, B., Ciccognani, W., Limiti, E., Calvani, P., Rossi, M., Conte, G. (2009). Modeling of metal-semiconductor field-effect-transistor on H- terminated polycrystalline diamond. In Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon, ULIS 2009 (pp.261-264). NEW YORK : IEEE [10.1109/ULIS.2009.4897586].
Modeling of metal-semiconductor field-effect-transistor on H- terminated polycrystalline diamond
On the bases of the RF characteristics and measured small-signal parameters, an equivalent circuit model is formulated and characterized for Metal-Semiconductor Field Effect Transistors based on H-terminated polycrystalline diamond. Starting from on-wafer measurements, a bias dependent transistor behavior representation has been fully determinated. Such a equivalent circuit model is a first important step in order to realize an RF IC based on diamond.
Carbon based electronic; DC and RF performance; Device modeling; Device technology; Electrical characteristics; Semiconductor devices; Small-signal equivalent circuit; Wide band semiconductors
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Intervento a convegno
Pasciuto, B., Ciccognani, W., Limiti, E., Calvani, P., Rossi, M., Conte, G. (2009). Modeling of metal-semiconductor field-effect-transistor on H- terminated polycrystalline diamond. In Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon, ULIS 2009 (pp.261-264). NEW YORK : IEEE [10.1109/ULIS.2009.4897586].
Pasciuto, B; Ciccognani, W; Limiti, E; Calvani, P; Rossi, M; Conte, G
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/2108/49747
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
